CS1N60A3H دیتاشیت

CS1N60A3H

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS1N60A3H
حجم فایل 76.674 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CS1N60A3H

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS1N60A3H
  • Power Dissipation (Pd): 25W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 800mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15Ω@10V,400mA
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه